此外，亏损当贝PadGO还配备一个800W像素物理防窥摄像头，相比常见普通摄像头隐私性更好。

亿元浙9月益清(b)不同扫描速率下的混合钙钛矿太阳能电池的滞回。(e) 在钙钛矿中引入PCBM、全电PEG对钙钛矿太阳能电池滞回效应的影响。

作者提出，力市滞回现象是非常复杂的现象，可能不是单单由一种机理导致的，可能是各种效应的综合体现。【图文解析】图1.该综述的行文思路图2.过去几年有关钙钛矿太阳能电池的出版物数量图3.染料敏化太阳能电池(a)和钙钛矿太阳能电池(b)的工作原理图图4.ABX3钙钛矿的晶体结构和平面P-I-N结构钙钛矿太阳能电池中常用材料的能级示意图图5.钙钛矿太阳能电池中的四种器件结构(a.介孔结构，场损b.超介孔结构，场损c.平板n-i-p结构，d.平板p-i-n结构)图6.不同类型的滞回效应(a.正常滞回，b.无滞回，c.反滞回) 图7.扫描速率与钙钛矿晶粒尺寸对滞回效应的影响(a) 不同扫描速率下的MAPbI3钙钛矿太阳能电池的滞回。总得来说，算结要想获得高效率并且低滞回的钙钛矿太阳能电池需要重视钙钛矿层的质量、能带匹配，界面调控等问题。

图8.不同空穴传输材料对器件迟滞的影响图9.测试条件对混合维钙钛矿太阳能电池滞回的影响图10.离子迁移机理影响滞回解释模型(a) I-离子迁移到八面体边缘，亏损Pb2+沿对角线方向移动。(f) 在正扫和反扫下分别测量了以PCBM为模板，亿元浙9月益清以α‐bis‐PCBM为模板和无模板的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线。

全电(f-h)不同钙钛矿晶粒尺寸器件IV的迟滞。

力市(f) FTO/PEDOT:PSS/PEG/FASnI3/PCBM/BCP/Ag钙钛矿电池结构的IV曲线。而该工作表明对单分子量子干涉效应的门控可带来室温下低至~17mVdec-1的亚阈值摆幅，场损远低于传统场效应晶体管的值，场损这对于对于高速和低功耗电子设备发展至关重要。

此外，算结我们及复旦周老师团队也参与了由日本团队主导的单分子量子干涉效应的理论研究。基于此，亏损已经在理论上提出了轨道规则并且通过实验检验了轨道规则，亏损显示了线性共轭（或对位）结构中的相长干涉和交叉共轭（或间位取向）结构中的相消干涉。

通过测量电导随门控电位的变化，亿元浙9月益清作者测定了分子的传递函数，直接观察到了量子干涉的关键特征—反共振现象，并与理论计算进行了详细比较。全电（c-d）从大量单根曲线构建的Para和Meta的电导直方图。